替代部分美系设备成功!长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片
快科技9月20日消息,据媒体报道,长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下,已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。
长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层,即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比,也具有极强的竞争优势。
据悉,长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备,以及拓荆科技的沉积设备,成功制造出3D NAND闪存芯片。
TechInsights称,虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具,但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。
不过长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的妥协,比早期产品少了约70层,且产量较低。
对此长江存储在回应中表示,公司正在不断优化产品性能,层数变化与设备产量无关,随着制造工艺、流程及经验的不断成熟,会不断增加堆叠层数。
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最新评论
非常不错
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是吗
真的吗
哇,还是漂亮呢,如果这留言板做的再文艺一些就好了
感觉真的不错啊
文章内容是真的好呀。。。。。。
呵呵,感觉废话挺多的